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?晶科N-TOPCon組件發(fā)電增益、溫度系數(shù)、衰減率具有顯著優(yōu)勢(shì),硬核實(shí)力、鑒衡認(rèn)證!

2023-07-07 17:09:10    來(lái)源:實(shí)況網(wǎng)

項(xiàng)目結(jié)論

1、相比P型雙面組件的發(fā)電性能,N型雙面組件的發(fā)電增益達(dá)到4.22%

2、N型雙面組件運(yùn)行平均溫度比P型雙面組件低0.56℃

3、N型組件首年內(nèi)衰減率為0.60%

項(xiàng)目背景

為研究晶科N型組件的發(fā)電增益、溫度變化和功率衰減情況,鑒衡CGC自2022年7月起,在??趯?shí)證基地(緯度20°,經(jīng)度110°)進(jìn)行戶外實(shí)證。各實(shí)驗(yàn)組通過(guò)控制組件的朝向、支架類型等因素保持一致,在2022年8月-2023年4月期間,對(duì)晶科不同類型組件的發(fā)電性能和工作溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)和分析。

項(xiàng)目設(shè)計(jì)

本次戶外實(shí)證項(xiàng)目采用光伏組件樣品信息如表1-1所示,其中包含10個(gè)晶科N型雙面組件(JKM560N-72HL4-BDV)、10個(gè)晶科P型雙面組件(JKM540M-72HL4-BDVP)。

表1-1 組件樣品參數(shù)

??趯?shí)證基地采用Solis GCI-80K-5G組串式逆變器,具體的逆變器參數(shù)如表1-2所示。逆變器使用期間各測(cè)試陣列不存在超配、限流等影響測(cè)試結(jié)果的限制因素。

表1-2 逆變器參數(shù)

??谑形挥诤D蠉u北部,地處低緯度熱帶北緣,屬于熱帶季風(fēng)氣候。全年日照時(shí)間長(zhǎng),輻射能量大,平均年總輻照量達(dá)2043.8 kWh/m2,年平均溫度為25.2 ℃,平均風(fēng)速2.9 m/s,相對(duì)濕度達(dá)到89.3 %RH。

鑒衡??趯?shí)證電站基地安裝了全自動(dòng)高精度環(huán)境監(jiān)測(cè)系統(tǒng),對(duì)輻照度(總、直、散、斜)、溫濕度、風(fēng)速風(fēng)向、降雨量等氣象條件進(jìn)行監(jiān)控和記錄。

本次研究共設(shè)置2個(gè)組串,每組采用10塊組件,固定支架,陣列前后間距為2.9米,離地高度為0.5米。

各光伏陣列直流側(cè)接入感應(yīng)式直流電表,用于采集各陣列直流側(cè)電壓、電流和功率數(shù)據(jù),隨后各陣列單獨(dú)接入逆變器1路MPPT通道,以避免陣列失配損失。??趯?shí)證基地配有專業(yè)氣象設(shè)備,用于監(jiān)測(cè)基地組件陣列的氣象數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集和儲(chǔ)存頻率均參考IEC 61724-1要求。傳感器數(shù)據(jù)經(jīng)數(shù)據(jù)采集器、數(shù)據(jù)服務(wù)器傳輸接入鑒衡實(shí)證云平臺(tái),測(cè)試期間鑒衡每月反饋發(fā)電量、工作溫度等原始數(shù)據(jù),每季度反饋根據(jù)發(fā)電量、溫度變化編寫而成的數(shù)據(jù)分析報(bào)告。??趯?shí)證基地的數(shù)據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)如表1-3所示。

表1-3 ??趯?shí)證基地?cái)?shù)據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)

室內(nèi)電性能測(cè)試

在北京鑒衡認(rèn)證中心浙江分公司進(jìn)行本次戶外實(shí)證前的實(shí)驗(yàn)室電性能測(cè)試,檢測(cè)內(nèi)容及其標(biāo)準(zhǔn)如表2-1所示。

表2-1 室內(nèi)電性能測(cè)試匯總

1、研究結(jié)論

2023年2-4月發(fā)電性能對(duì)比

N型雙面組件和P型雙面組件發(fā)電性能對(duì)比如表3-1、圖1所示。選取每日8-17時(shí)發(fā)電量數(shù)據(jù),以P型雙面組件為性能基準(zhǔn),由圖1數(shù)據(jù)可知,N型雙面組件的發(fā)電性能優(yōu)于P型雙面組件,晶科N型雙面組件累計(jì)發(fā)電量達(dá)到1740.52kWh,晶科P型雙面組件累計(jì)發(fā)電量達(dá)到1611.07kWh。相比P型雙面組件的發(fā)電性能,N型雙面組件的發(fā)電增益達(dá)到4.22 %。

表3-1 N型雙面組件和P型雙面組件發(fā)電性能對(duì)比

圖1:N型雙面組件和P型雙面組件發(fā)電性能對(duì)比

2、組件運(yùn)行溫度

為了精確監(jiān)控分析晶科組件在戶外實(shí)證過(guò)程的溫度變化,在每個(gè)陣列挑選相同位置的一件組件上、下兩點(diǎn)粘貼熱電偶,通過(guò)熱電偶傳感器來(lái)監(jiān)控組件運(yùn)行溫度變化。選取每日8-17時(shí)溫度數(shù)據(jù),篩除異常數(shù)據(jù)點(diǎn)并進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,第三季度??趯?shí)證基地實(shí)驗(yàn)組組件運(yùn)行溫度變化如表3-2所示。

表3-2 ??趯?shí)證基地實(shí)驗(yàn)組組件運(yùn)行溫度變化

以P型雙面組件為溫度基準(zhǔn),N型雙面組件和N型單面組件運(yùn)行平均溫度均低于P型雙面組件,N型雙面組件運(yùn)行平均溫度比P型雙面組件低0.56℃,N型單面組件運(yùn)行平均溫度比P型雙面組件低0.66℃。對(duì)比分析N型單雙面組件運(yùn)行平均溫度,N型雙面組件運(yùn)行平均溫度比N型單面組件高0.10℃,運(yùn)行溫度基本一致。

戶外實(shí)證前,實(shí)驗(yàn)組樣品統(tǒng)計(jì)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)條件下電性能測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如表3-3所示。

表3-3 實(shí)驗(yàn)組樣品標(biāo)準(zhǔn)條件下電性能測(cè)試結(jié)果

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