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融資丨「利普思半導體」獲德聯(lián)資本領投近億元A輪融資,專注高端功率器件國產(chǎn)化

2021-12-03 15:22:55    來源:創(chuàng)業(yè)邦

創(chuàng)業(yè)邦獲悉,12月1日,高性能SiC(碳化硅)模塊企業(yè)利普思半導體宣布完成近億元人民幣A輪融資,由德聯(lián)資本領投,沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。本輪融資將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設備投入,以及研發(fā)投入、管理運營和市場推廣。

利普思成立于2019年,專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,擁有創(chuàng)新的封裝材料和封裝技術(shù),為新能源汽車、氫能車、光伏等行業(yè)應用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前,公司已經(jīng)申請專利26項,其中發(fā)明專利13項。

功率半導體作為電能轉(zhuǎn)換的核心器件,廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、光伏和風電等領域,市場空間巨大。盡管我國功率半導體市場占據(jù)了全球超1/3的規(guī)模,但面向高端領域的功率器件國產(chǎn)率極低,高端國產(chǎn)功率模塊的可靠性不足也導致市占率較低,90%以上的中高端MOSFET及IGBT,SiC器件仍然依賴進口。

其難點在于,一是高端功率器件主要應用在新能源汽車、風力發(fā)電、光伏等領域,這些領域?qū)β誓=M的電氣設計、散熱、機械,可靠性,工藝等方面都有著高要求,國外國際大廠早已積累了成熟技術(shù)和競爭優(yōu)勢,但國內(nèi)的IGBT與SiC模組設計與制造工藝相對落后,處于仍追趕階段;

二是芯片設計方面,小功率芯片通常采用單管電流設計,而大功率芯片需要集成到模組中,通過更多芯片并聯(lián)達到大功率電流的效果,尤其是汽車應用中,國內(nèi)相關(guān)模組企業(yè)同樣與國際水平存在差距。

目前,利普思的核心產(chǎn)品覆蓋SiC和IGBT兩個品類,其中應用于氫能商用車和光伏的SiC,以及應用在充電樁、工業(yè)變頻器、商用車等方面的IGBT已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。值得注意的是,盡管SiC作為第三代功率半導體,在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優(yōu)勢,但SiC對IGBT的替代主要集中在高端應用市場,在低端市場則是兩者共存的格局。

利普思聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明說,公司的第三代功率半導體SiC模塊技術(shù)水平已能和國際知名品牌產(chǎn)品展開直接競爭,尤其是其采用的全銀燒結(jié),使用利普思專利的芯片表面連接技術(shù)的直接水冷結(jié)構(gòu),電氣特性,散熱,功率密度均具有領先優(yōu)勢。

例如,特斯拉的SiC模塊采用了單管方案,每個單管集成2塊芯片,共并聯(lián)24個小單管。該方案對單管的封裝、焊接、連接一致性要求很高,系統(tǒng)應用的工藝難度系數(shù)大,因此目前國內(nèi)廠家更青睞于集成度更高的高性能SiC模組方案。

相比之下,利普思采用的模組方案,采用了自研的芯片表面連接Arc Bonding專利技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)多個100A電流的芯片連接、6-10個并聯(lián),大大提高了模組的電流能力、功率密度和可靠性,可以實現(xiàn)更小的電動汽車驅(qū)動體積,更高的功率密度有利于中國電動汽車廠家快速進行電驅(qū)的研發(fā)與生產(chǎn)。

利普思一系列技術(shù)優(yōu)勢實現(xiàn)的背后,與公司團隊的正向開發(fā)能力息息相關(guān)。目前,公司在日本設有研發(fā)中心,該研發(fā)中心已初具規(guī)模,將形成完整的先進模塊封裝和驗證測試能力。公司還擁有數(shù)十位涵蓋芯片設計、封裝材料、封裝設計、生產(chǎn)工藝、模塊應用等領域的中國及日本行業(yè)專家。

其中,公司創(chuàng)始人、CEO梁小廣曾任職于三菱電機、安森美、采埃孚,擁有16年以上IGBT、SiC功率半導體研發(fā)經(jīng)驗,以及多項相關(guān)國際專利;公司聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明曾任上海電驅(qū)動事業(yè)部總監(jiān),熟悉電動汽車客戶、供應鏈和質(zhì)量體系要求;聯(lián)合創(chuàng)始人邱威曾就職于理查森,有十余年電子器件行業(yè)銷售經(jīng)驗;日本研發(fā)團隊成員平均半導體從業(yè)時間20年以上,曾就職于三洋、三菱、東芝、日立等公司,研發(fā)中心負責人之一的夏目正曾擔任安森美日本總經(jīng)理。

營收及出貨方面,利普思的SiC產(chǎn)品已于今年下半年開始量產(chǎn),明年銷售額將實現(xiàn)大突破,SiC模塊將超數(shù)十萬個。2022年,利普思將完成乘用車SiC模塊產(chǎn)品量產(chǎn),其中下一代SiC控制器平臺將比市面上同樣電流的模塊體積減小30%以上,還可根據(jù)不同電流要求定制,覆蓋150KW-400KW功率。

產(chǎn)品推廣方面,利普思以氫能商用車作為市場突破口,逐步拓展到其他商用車市場,以及光伏等工業(yè)市場,同時重點布局乘用車市場?,F(xiàn)階段,利普思主要客戶覆蓋氫燃料電池系統(tǒng)、電動商用車、乘用車、光伏等領域。

德聯(lián)資本執(zhí)行董事方宏博士表示:“能源結(jié)構(gòu)的調(diào)整正在影響我們國計民生的方方面面,能源供給側(cè)和消費側(cè)設備的器件功率密度提升是必然趨勢,相關(guān)功率器件從IGBT向SiC升級已開始全面加速,然而該產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的襯底、外延、器件、封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)Knowhow大相徑庭,應用端也都在不停地追求更高的性能和差異化的應用。因此我們認為,各環(huán)節(jié)的分工協(xié)作是該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。利普思是國內(nèi)少有的從基礎材料到封裝工藝進行底層創(chuàng)新研發(fā)和量產(chǎn)的SiC模塊團隊,我們非??春闷涑砷L為汽車、光伏以及工業(yè)等領域領先的功率半導體公司。”

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